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电源经过电阻加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子（自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流。也有很小一部分电子与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，其数值很小，但对温度却异常敏感。

单个锗二极管输出电压比较小，并不能够直接驱动三极管。然后要增加一定的电压，给三极管积极提供电位。给三极管基极提供电位的方法有这几种。可以使用电源来提供三极管基极的电位，通常与集电极和发射极的电压差有关。可以使用两个电阻串联，通过分压的方式来提供三极管基极的电位。这种方法通常用于调整基极电位的大小。还有一种是另外加一个二极管。

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