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碳化硅作为半导体材料，在全球的各大实验室已经有了广泛的研究，其中作为LED照明灯或者其他简易工业品，更是已经进行了工业化的生产。

同时对比硅芯片碳化硅的优点很多。

例如宽禁带可以达到高达3.0eV到3.25eV，让芯片的工作环境温度提高到800度以上。

这种温度耐受力，未来什么扇热器之类的就不用了，而且可以用在太空探索等条件恶劣的地方。

其次，高的电子击穿场强带来了半导体功率器件击穿电压的提高，碳化硅功率器件漂移区的宽带可以降低，因此功率器件可以减少，芯片体积也可以做的更小。

体积更小的芯片是制造可穿戴设备的关键，用户不想戴个笨重的头盔或者是几斤的科技眼镜装X。

另外，碳化硅芯片抗辐射能力也强，今后在太空或者强辐射领域工作也不会有任何问题。普通的芯片或者电子类产品，在辐射强的地方基本都会失去工作能力。

但是将碳化硅作为芯片，全球各大实验室并没有付诸于实践，主要原因就是技术问题。

现代工业技术还不足以将纠缠的量子对放入色心，并以此为基础进行运算，技术难度还是很大。

这也是目前第三代半导体发展的技术瓶颈，包括英特尔在内的半导体芯片企业，就算开始使用碳化硅作为第三代半导体材料，也同样是做二进制芯片，而不会是跨时代的量子芯片。

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